内存市场不断进化 潜力有待充分挖掘
利用目前的制程工艺,DRAM电容器与闪存存储单元的尺寸已接近物理极限,难以进一步缩小。因此,内存制造商投入更多的精力开发DRAM和闪存以外的另类内存解决方案。面向特定用途的几种不同为医疗行业的客户提供了新的产品选择及解决方案的专用内存目前已经可供使用。虽然这些新产品近期课桌都不太可能挑战批量产品,但至少都有提供以下特点的可能性:以低功耗快速读写;非易失性,具有较长的数据保持时间与循环寿命;较小的单元尺寸。
<控制电缆p>磁阻RAM(MRAM)、铁电RAM(FRAM)和相变RAM(PCRAM)是人们讨论最多的DRAM和闪存替代方案。相对于目前的DRAM和闪存,上述技术都有自己的优势,但从成本或技术角度来看,也存在一些缺点。内存市场不断进化潜力有待充分挖掘
电阻RAMReRAM/RRAM是另外一种可能的选择。富士通(Fujitsu)、英特尔(Intel)、三星(Samsung)、夏普(Sharp)和Spansion都在研究这种技术。这些厂商相信,ReRAM将比闪存快100倍,而尺寸将优于相变RAM或MRAM等其它先进内存。
碳纳米管(CNT)技术也大有前途。近期内这种技术可能用于系统内存,长期可能用于复杂的逻辑器件。纳米管RAM(NRAM)单元利用几个悬在金属电极上面的CNT制成。当在纳米管上面施加一个微弱的偏压时,纳米管就向着电极的方向“下垂”,直到接触为止。此时纳米管被视为处于逻辑1状态。当取消偏压之后,纳米管脱离电极,逻辑状态恢复为零。NRAM的优点包括具有SRAM的济南试金冲击机组成部分速度、密度远高于DRAM、功耗低于DRAM和闪存。另外,它不怕恶劣环境,而且具有很好的缩微性。
此外,最近厂商宣布的“memristor”(记忆电阻),可能是内存供应商为创造一种通用内存而渴望的技术突破。memris在完成了1半的曲折次数以后tor是一种电路元件,在尺寸缩小过程中可以改善性能。
市场调研公司ICInsights坚信,内存市场(尤其是DRAM)是进化性的,而不是革命性的。在必须爆米花机转向纳米管、PCRAM或MRAM等另类内存技术之前,内存供应商将继续充分挖掘现有技术/架构的潜力。迄今为止,没有一种另类内存能够提供具有足够诱人的解决方案,使之优于现有的内存。
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